Инженеры из Государственного университета штата Аризона разработали новый метод, позволяющий значительно увеличить емкость модулей памяти, применяемых в современной электронике. Группа исследователей из Центра прикладных наноисследований при Университете Аризоны представила первые прототипы так называемых ионных технологий памяти.

Главная проблема современных флэшек и SSD-дисков на их основе - слишком короткий срок жизни микросхем. Несмотря на все ухищрения, сейчас одна ячейка выдерживает всего лишь около 10 000 циклов записи-стирания. Из-за недолговечности микросхем невозможно уменьшить размер ячеек и сделать rnболее емкую память, потому что при производстве транзисторов с техпроцессом менее 20 нм срок жизни флэш-памяти уменьшится вообще до критических значений.